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      案例分類1

      英諾賽科(蘇州)半導體有限公司新建半導體生產廠房等項目,新建廠房面積149671.3平方米,新建輔房面積26412平米,位于蘇州市吳江區。由汾湖高新區(黎里鎮)結合國家級高新區創建而打造的新型半導體產業園,將以華功半導體“一院兩中心”、英諾賽科為牽頭項目,加快招引優質項目,打造集研發、生產、科技服務和孵化于一體的新型半導體產業化基地;由吳江高新區(盛澤鎮)重點打造的紡織循環經濟產業園,將以促進資源節約集約利用、改善生態環境為目標,加快推進印染企業集中入園,實現主要污染物排放量降低15%。
              

         英諾賽科是2015年12月由海歸團隊發起創辦,從事寬禁帶半導體電力電子器件的研發與生產,一期項目位于珠海市國家級高新區,已完成投資10.9億元,建設8英寸增強型硅基氮化鎵外延與芯片大規模量產生產線。公司商業模式將采用IDM全產業鏈模式,打造集研發、設計、外延生長、芯片制造、測試于一體的生產平臺,主要產品包括100V-650V 8英寸硅基氮化鎵外延片、100V-650V氮化鎵功率器件、氮化鎵集成電路。

         硅氮化鎵技術能夠提高功率密度和能效,同時縮小器件尺寸,因此,非常適合用于電視機電源和D類音頻放大器等消費電子產品,服務器和電信設備中使用的SMPS。IHS發布的市場研究報告稱,面向功率半導體的硅基板GaN技術市場,將以高達50%以上的年均復合增長率(CAGR)成長。到2023年,其市場容量將從2014年的1,500萬美元,增至8億美元。

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